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MGY20N120D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
fT -
TJ -
der MGY20N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 28A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGY20N120D
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse:TOP-3L
MGY20N120D Datenblatt (jpg):-
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Ähnliche Typen: ↑GN12030E
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MGY20N120D


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UCE 1200V
UGE 20V
IC 28A
Ptot 174W
fT -
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

GN12030E


SI N-IGBT Transistor
similar to MGY20N120D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
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der GN12030E ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
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Ähnlicher Typ: GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
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GT40T101,MGY25N120
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